삼성전자가 3월 16일부터 19일까지(현지시간) 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC에 참가해 차세대 HBM4E 기술력과 '베라 루빈(Vera Rubin)' 플랫폼을 지원하는 메모리 토털 솔루션 역량을 선보였다. 삼성전자는 이번 전시를 통해 메모리, 로직 설계, 파운드리, 첨단 패키징을 아우르는 종합반도체기업(IDM)만의 강점을 부각하며 글로벌 AI 시장 내 리더십 강화에 나섰다.

삼성전자는 전시장에 'HBM4 히어로 월(Hero Wall)'을 마련하고 차세대 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개했다. HBM4E는 삼성의 1c D램 공정 기술과 4나노 베이스 다이 설계 역량이 결집된 제품으로, 핀당 16Gbps의 속도와 4.0TB/s의 대역폭을 지원할 예정이다. 특히 열 저항을 기존 TCB(Thermal Compression Bonding) 대비 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층이 가능한 HCB(Hybrid Copper Bonding) 기술을 함께 소개해 차세대 패키징 경쟁력을 입증했다.

엔비디아와의 전략적 파트너십도 한층 공고히 했다. 삼성전자는 '엔비디아 갤러리'를 통해 베라 루빈 플랫폼에 탑재될 HBM4 칩과 SOCAMM2, 서버용 SSD인 PM1763 등을 전시했다. SOCAMM2는 LPDDR 기반의 서버용 메모리 모듈로 최근 양산 출하를 시작했으며, PCIe Gen6 기반의 PM1763은 베라 루빈 플랫폼의 메인 스토리지로 채택되어 현장에서 엔비디아 SCADA 워크로드 시연을 통해 압도적인 성능을 증명했다.

행사 둘째 날인 3월 17일에는 송용호 삼성전자 AI센터장이 엔비디아의 특별 초청으로 발표에 나서 AI 인프라 혁신을 위한 삼성의 메모리 토털 솔루션 비전을 제시했다. 삼성전자는 추론 성능과 전력 효율 개선을 위해 베라 루빈 플랫폼에 도입된 CMX(Context Memory eXtension) 플랫폼에도 PCIe Gen5 기반 SSD인 PM1753을 공급하며 협력 범위를 확대할 계획이다.

삼성전자는 전 세계에서 유일하게 엔비디아 베라 루빈 플랫폼의 모든 메모리와 스토리지를 적기에 공급할 수 있는 역량을 갖춘 만큼, 기술 선순환 구조를 통해 고성능 HBM 시장에서의 우위를 점한다는 전략이다. 양사는 이번 협력을 바탕으로 단순한 기술 지원을 넘어 글로벌 AI 인프라의 패러다임 전환을 공동으로 견인할 것으로 전망된다.